524，528锑化铟(InSb) 霍尔元件        这是一种采用锑化铟蒸发薄膜的高灵敏度型霍尔元件。以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性地转变成电压信号。  典型应用 *直流无刷电机（用于光盘、软盘、硬盘驱动器、录像机等），无接触传感器（用于限位开关、漏磁检测、转速检测或位置探测等），其他各种磁种性传感器。 极限参数参 数 符号 量 值 单位 最大输入电流 Ic max20(TA=25℃)mA最大功耗 Pd150mW工作温度范围 TA-20～+110℃ 贮存温度范围 TS-40～125℃ 电特性              TA=25℃ 参     数 符  号 测试条件 最小值 最大值 单位 霍尔输出电压 VHVc=1V,B=50mT(500G)122320mV不等位电压 VOVc=1V,B=0G(0mT)-7+7mV输入电阻 RiB=0, Ii=0.1mA240550Ω输出电阻 RoB=0, Ii=0.1mA240550Ω霍尔电压的温度系数 αVH以20℃时的测量值为基准，0～+40℃之间的测量值取平均值，B=50mT,Ic=5mA   -1.8%/℃输入输出电阻的温度系数 αRi以20℃时的测量值为基准，0～+40℃之间的测量值取平均值，B=50mT,Ic=0.1mA