一、概述： KC-1型可控硅测试仪，是一种新颖的全数字显示式多功能可控硅参数测试装置，它可以测量各种大小功率的单双向可控硅（晶闸管），小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封装的单双向可控硅，大至1000A 的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各种组合模块，可以测量触发电流IGT、触发电压VGT、断态不重复峰值电压VDSM、反向不重复峰值电压VRSM等可控硅主要参数，该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质量检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器还可以用于其它电子元器件的高低压耐压测试，如：大中小功率的二极管、三极管、场效应管的耐压，压敏电阻的电压值，触发二极管的转折电压等。二、主要应用范围：1、可以测量0.5A-1000A 以下的单双向可控硅及各种可控硅模块的IGT、VGT、VDSM、VRSM 。2、可以测量可控硅专用的双向触发二极管的转折电压。3、可以测量各种大小功率的二极管、三极管、稳压管、场效应管、IGBT及各种模块的击穿电压。4、可以测量各种大小功率的压敏电阻、放电管等的击穿电压。5、可以测量非电解类小容量电容器的耐压（尤其可以测量4KV以下的小容量高压电容）。6、一般可控硅测试采用0-4KV等级的仪器已能满足要求，若有其它特殊要求可以定制最高达0-12KV的仪器。三、主要技术参数：1、触发电压VGT测量范围： 0—5V ， 精度 ≤2.5%。2、触发电流IGT 测量范围： 0—19.99mA ，0—199.9mA ， （分两档） 精度 ≤2.5%。3、可控硅耐压参数测试用高压输出和测量范围： 0—2KV、 0—4KV ，（分两档） 精度 ≤2.5% 。4、其它电子原器件耐压测试用高压输出和测量范围： 0—2KV、 0—4KV 。该测试仪是我根据几十年丰富的实践经验自行研究设计制造，其特点是：1、实用性强 。2、测量范围广。3、使用方便。4、采用一种特殊的可调恒压限流电源可确保在测试耐压的过程中不易损坏被测器件。平板型可控硅的触发电压和触发电流测试（实测的可控硅为KP1000A平板型可控硅）测试的结果是：触发电流=39.5mA 触发电压=1.09V 此时录色导通指示灯亮，同时机内蜂鸣器响。平板型可控硅的VDSM/VRSM--正、反向不重复峰值电压的测试这是一只正反向重复峰值标称电压为800V的可控硅测试结果是：该1000A平板型可控硅的实测正向电压值为1450V，此时红色指示灯亮