二、主要技术性能 　　1、可控硅触发电流IGT 测量范围： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。 　　2、可控硅触发电压VGT测量范围： 0—5V， 精度：≤5 % 。 　　3、可控硅光耦输入端LED触发电流IFT测量范围：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。 　　4、可控硅光耦输入端LED触发电压VFT测量范围：0—3V 精度：≤5 % 。 　　5、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围： 0—2KV精度：≤3 % 。 　　6、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围： 0—1.6KV精度：≤5 % 。 三、主要测试功能 　　1、全系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM 的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。 　　2、DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的 光电耦合器输入LED端IFT / VFT的测试，输出端可控硅正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向 重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。 　　3、电流在200A以内，VDSM / VRSM在2KV以内，触发电流在120mA以内的螺铨型单、双向可控硅和可控硅 组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰 值电压VDRM / VRRM的测试。