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  • 深圳市杰创立仪器有限公司
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详细信息
 类型:   半导体分立器件测试仪   

产品说明 :      半导体分立器件综合测试仪,全部智能化 ,可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.可控硅.三端电源各种直流参数,带接口.标配附件:1.同轴引线的二极管测试夹2.TO-220.202.237.126.92的测试夹3.TO-5.18.39.205MA的测试夹4.TO-3.66.204MA的测试夹可选附件:1200伏高压适配器. 主要特点 :    本仪器是美国IST公司最新研制的产品(IST880的升级换代产品),采用Z80芯片,微机控制,液晶显示其测试条件及测量结果,可用于晶体三极管,二极管,齐钠二极管,J型场效应管,可控硅管,三端双向可控硅管和三端稳压器进行直流参数的测试,并可自动进行合格/不合格判断,对器件进行分选。本仪器并配有RS-232串联接口和IEE-488接口,可配接电脑数据记录仪仪打印机,打印出测试条件及结果。并可以对各类器件的预置测试条件进行存储。关机后仍可保存在机内,以备下一次的使用。性能指标:(一)* 三极管 Icbo Iceo Ices Iebo Icev电流 电压 分辨率 误差0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%0 200μA 0 600V 1 nA ±1.5%0 200.0μA 0 600v 1.1μA ±1%0 20.00mA 0 500V 10μA ±1%* 三级管 BVcbo BVebo BVcer BVces BVcev电压 电流 分辨率 误差0 600V 0 30mA 3V ±1%0 30V 0 200mA 0.1V ±1%* 三极管 Vve(sat)Vbe(sat)电压 电流 分辨率 误差0 5V 0 5A 2mV ±2%0 2V 0 1A 1mV ±2% * 三极管 hFE量程 分辨率 误差hFE 0 5000 1 ±2%Vce 0 20VIc 0 5AIb 0 1A (二)* 二极管Ir电流 电压 分辨率 误差0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%0 200.0μA 0 600V 1 nA ±1.5%0 2.00μA 0 600V 0.1μA ±1%0 20.00mA 0 500V 10μA ±1% * 二极管BVr电压 电流 分辨率 误差0 30V 0 200mA 0.1V ±2%0 600V 0 20mA 3V ±2% * 二极管Vf电压 电流 分辨率 误差0 5V 0 5A 2mV ±2% (三)* 稳压二极管BVz电压 电流 分辨率 误差0 300V 0 30mA 1V ±1%0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%0 40V 0 1mA 0.1V ±1% * 稳压二极管Izr电流 电压 分辨率 误差0 500mA 0 30V 2mA ±1%0 100mA 0 60V 0.4mA ±1%0 20mA 0 250V 80nA ±2.5% * 稳压二极管Vzr电流 电压 分辨率 误差0 300V 0 30mA 1V ±1%0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%0 40V 0 1A 0.1V ±1% * 稳压二极管Vzf电压 电流 分辨率 误差0 5V 0 5A 2mv ±1% (四)* J/M型场效应晶体管Idss电流 电压 分辨率 误差0 0.2A 0 30V 10μA ±2%0 30mA 0 300V 1μA ±2% * J型场效应晶体管Igss电流 电压 分辨率 误差0 20.00mA 0 30V 10μA ±2%0 200.0μA 0 30V 0.1μA ±1.5%0 2.00μA 0 30V 1nA ±1.5%0 200.0nA 0 30V 0.1nA ±1.5% * J型场效应晶体管BVgss电压 电流 分辨率 误差0 300V 0 30mA 1v ±2%0 30V 0 200mA 0.2v ±1.5% * J型场效应晶体管gm量程范围 分辨率 误差0.5 200mMHO 0.04mMHO ±4%0 100.00μA 0 40V 50nA ±3% (五)* 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt电压 电流 分辨率 误差0 40V 0 20mA(可控硅整流器件) 0.2V ±1%0 1A (双向可控硅开关器件)0.2V ±1% * 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt电流 电压 分辨率 误差0 100.00mA 0 40V 50μA ±1.5%0 10.00mA 0 40V 5μA ±1.5%0 1.00mA 0 40V 0.5μA ±2% (六) 三端稳压电源集成块量程范围 分辨率 误差Vo 0 ±28V 0.1V ±2%Iib 0 ±20mA 1μA ±2%
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