技术参数1.扫描范围：200mm (x,y) ；2.扫描速度：最大20mm/s（x,y）；3.扫描分辨率：2 μm ；4.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；5.平均翘曲测量重复性：< 5e-6 (radians) ；6.平均曲率重复性：<2×10e-5 1/m；7.应力测量范围：10E-2MPa~几十Gpa主要特点1.程序化控制扫描模式：选定区域、多点线性扫描、全面积扫描；2.成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力2D成像分析；3.测量功能：曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等；4.支持变温热应力测量功能，温度范围-65C to 1000C；5.薄膜残余应力测量；仪器介绍世界顶级薄膜应力测量系统，又名薄膜应力计或薄膜应力仪！MOS美国专利技术！曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee！采用非接触MOS激光技术；不但可以精确的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；并且这种设计始终保证所有阵列的激光光点始终在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时大大提高了测试的分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析；该设备已经广泛被全球著名高等学府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学等）、半导体制和微电子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；相关产品：实时原位薄膜应力仪：同样采用先进的MOS技术，可装在各种真空沉积设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析；