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  • 深圳市力贝电子有限公司
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详细信息
 封装:   TI  型号:   LM258DR
 品牌:   双极型  批号:   数字信号
 静态功耗:   3.9 (mW)  导电类型:   0
 集成程度:   大规模  工作温度:   混合集成 (℃)
 处理信号:   SOIC-8  制作工艺:   -25°C to +85°C
 极限电压:   现货 ((V))  额定输出功率:   热销 ((W))
 特色标志:   2010+   

TEXAS INSTRUMENTS - LM258D - 芯片 双运算放大器图片只做观看之用请参考产品描述制造商: TEXAS INSTRUMENTS 制造商编号: LM258DRoHS协从产品:是描述运放类型:高增益放大器数目:2带宽:0.7MHz摆率:0.3V/µs电源电压范围:± 1.5V to ± 16V封装类型:SOIC针脚数:8工作温度范围:-25°C to +85°CSVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)封装类型:SOIC-3dB带宽增益乘积:0.7MHz变化斜率:0.3器件标号:258增益带宽:0.7MHz工作温度最低:-25°C工作温度最高:85°C放大器类型:高增益运放电源电压 最大:32V电源电压 最小:3V芯片标号:258表面安装器件:表面安装输入偏移电压 最大:5mV输入偏移量, 最大:7µV/°C运放特点:高增益,频率补偿运算逻辑功能号:258额定电源电压, +:15V
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