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详细信息
 标称阻值:   1000-1600(V) ((μF))  允许偏差:   高频 ((%))
 绝缘电阻:   ±0.1(%) ((Ω))   

       EPCOS  IGBT吸收电容  型号主要参数尺寸(mm):宽(b)×高(h)×长(l)×间距(d)备注 B32654-A7154-K6B32654-A7224-K6B32656-A474-K6B32656-A684-K6B32656-A105-K6B32656-S7105-K561B32656-S1474-K5610.15µF/1250V0.22µF/1250V0.47µF/1000V0.68µF/1000V1.00µF/1000V1.00µF/1250V0.47µF/1600V11.0×21.0×31.5×27.514.0×24.5×31.5×27.514.0×25.0×41.5×37.516.0×28.5×41.5×37.520.0×39.5×41.5×37.528.0×37.0×42.0×(23~28)28.0×37.0×42.0×(23~28)焊针式焊针式焊针式焊针式焊针式螺栓型螺栓型 ——EPCOS焊针式IGBT吸收电容具有高dv/dt耐量;高频、低电感;自愈特性。直接焊在PCB版上安装方便且美观,深受欧、美著名变频器厂家的青睐。特别适合EUPEC Econo封装形式:FP(PIM)系列,FS(六单元)系列IGBT模块的吸收电路;——EPCOS螺栓型IGBT吸收电容,除了具有波峰切割技术特点外,还具有:高脉冲容量;高可靠的良好接触;特别低的内部电感(<18nH);容值偏差小(≤±10%);——B32656-S7105-K561、B32656-S1474-K561适合于34㎜、62㎜(模块宽度)IGBT模块的吸收电路。 
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