HMC1001/HMC1002磁阻传感器是用来测量磁场强度和方向及测量由于铁磁物质干扰造成的磁场变化, 无需外部线圈辅助，其分辨率高达30μGauss，高线性磁场信号，带宽5MHz。HMC1001是一维磁阻微电路，是一个单边封装（SIP）的磁场传感器，感应与管脚方向平行的磁场。HMC1002是两维磁阻微电路，是封装在小型集成电路（SOIC）中的双磁场传感器。两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器A感应与外封装长边方向平行的磁场,传感器B感应与封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。HMC1021/HMC1022是HMC1001/HMC1002的改进型产品。它的结构为四壁的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。可检测低至85微高斯的磁场。HMC1021/HMC1022是新型的低成本传感器，具有更小的体积.适用领域：罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。 型号HMC1001/1002参数条件最小值典型值最大值单位电桥电压工作电压，-40-85℃ 510V电桥电阻桥路电流=10mA6008501100Ω测量范围线性全程量-2.2 2.2Gauss磁场分辨率带宽=0-10Hz,S/R脉冲=4A 40 μGauss线性度±0.5Guass相对±1Guass直线 12%FS电桥失调设置脉冲后零磁场，电桥电压55-1530mV灵敏度Ioffset=50mA,电桥电压=8A2.23.14mV/V/Gauss补偿电流带从OFFSET+至OTTSET-测量 2.53.5Ω置位/复位电流带从S/R+到S/R-测量 1.62Ω置位/复位电流0.1%的占空比23.55A干扰磁场灵敏度开始下降，需开始使用S/R脉冲4  Gauss带宽磁信号，下限=直流 5 MHz噪声密度1HZ，电桥电压=5V 25 nV/Hz灵敏度温度系数TCS，电桥电压=8V，-40-85℃ -3000 ppm/℃电子温度系数TCR，电桥电压=8V，-40-85℃ 2500 ppm/℃